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IPB77N06S212ATMA1

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MOSFET N-CH 55V 77A TO263-3

compliant

IPB77N06S212ATMA1 Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
Call $Call -
Inventory changes frequently.
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Discontinued at Digi-Key
type de FET N-Channel
technologie MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (vdss) 55 V
courant - consommation continue (id) à 25°c 77A (Tc)
tension de commande (rds max. activé, rds min. activé) 10V
rds activé (max) à id, vgs 11.7mOhm @ 38A, 10V
vgs(th) (max) à id 4V @ 93µA
charge de porte (qg) (max) @ vgs 60 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds 1770 pF @ 25 V
fonctionnalité FET -
puissance dissipée (max) 158W (Tc)
température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
type de montage Surface Mount
package d'appareils du fournisseur PG-TO263-3-2
paquet / étui TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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Numéro de pièce associé

AUIRF1324STRL7P
SI5445BDC-T1-E3
IRF740S
IRF740S
$0 $/morceau
IPP062NE7N3G
IRFS3307PBF
STP180N55F3
STP180N55F3
$0 $/morceau
SI4620DY-T1-E3
SI4620DY-T1-E3
$0 $/morceau
ZVP4105ASTOB
2SK2008-E
IRL540S
IRL540S
$0 $/morceau

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