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IPB80N06S208ATMA1

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MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3

non conforme

IPB80N06S208ATMA1 Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
Call $Call -
0 items
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Discontinued at Digi-Key
type de FET N-Channel
technologie MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (vdss) 55 V
courant - consommation continue (id) à 25°c 80A (Tc)
tension de commande (rds max. activé, rds min. activé) 10V
rds activé (max) à id, vgs 7.7mOhm @ 58A, 10V
vgs(th) (max) à id 4V @ 150µA
charge de porte (qg) (max) @ vgs 96 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds 2860 pF @ 25 V
fonctionnalité FET -
puissance dissipée (max) 215W (Tc)
température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
type de montage Surface Mount
package d'appareils du fournisseur PG-TO263-3-2
paquet / étui TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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Numéro de pièce associé

STB76NF75
STB76NF75
$0 $/morceau
IXFT12N100F
IXFT12N100F
$0 $/morceau
IRLR3715
IRLR3715
$0 $/morceau
AOD4120L
ATP101-TL-HX
ATP101-TL-HX
$0 $/morceau
IPD90N04S3-04
FQI13N50CTU
FQI13N50CTU
$0 $/morceau
SFT1452-TL-H
SFT1452-TL-H
$0 $/morceau
SPB80N03S2L-04
IRF7422D2TRPBF

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