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IPB80N06S407ATMA1

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IPB80N06S407ATMA1

MOSFET N-CH 60V 80A TO263-3

compliant

IPB80N06S407ATMA1 Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
1,000 $0.58530 -
Inventory changes frequently.
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Discontinued at Digi-Key
type de FET N-Channel
technologie MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (vdss) 60 V
courant - consommation continue (id) à 25°c 80A (Tc)
tension de commande (rds max. activé, rds min. activé) 10V
rds activé (max) à id, vgs 7.1mOhm @ 80A, 10V
vgs(th) (max) à id 4V @ 40µA
charge de porte (qg) (max) @ vgs 56 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds 4500 pF @ 25 V
fonctionnalité FET -
puissance dissipée (max) 79W (Tc)
température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
type de montage Surface Mount
package d'appareils du fournisseur PG-TO263-3-2
paquet / étui TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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Numéro de pièce associé

IPP086N10N3G
IRFR220NTRRPBF
FDB2552-F085
FDB2552-F085
$0 $/morceau
STB30NM60ND
STB30NM60ND
$0 $/morceau
SPP07N65C3HKSA1
SPP16N50C3
US5U29TR
US5U29TR
$0 $/morceau
NTF3055L108T3G
NTF3055L108T3G
$0 $/morceau
NVD6415ANT4G-VF01
NVD6415ANT4G-VF01
$0 $/morceau

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