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IPD60R800CEATMA1

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MOSFET N-CH 600V 5.6A TO252-3

compliant

IPD60R800CEATMA1 Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
1 $0.00000 $0
500 $0 $0
1000 $0 $0
1500 $0 $0
2000 $0 $0
2500 $0 $0
0 items
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Obsolete
type de FET N-Channel
technologie MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (vdss) 600 V
courant - consommation continue (id) à 25°c 5.6A (Tc)
tension de commande (rds max. activé, rds min. activé) 10V
rds activé (max) à id, vgs 800mOhm @ 2A, 10V
vgs(th) (max) à id 3.5V @ 170µA
charge de porte (qg) (max) @ vgs 17.2 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds 373 pF @ 100 V
fonctionnalité FET -
puissance dissipée (max) 48W (Tc)
température de fonctionnement -40°C ~ 150°C (TJ)
type de montage Surface Mount
package d'appareils du fournisseur PG-TO252-3
paquet / étui TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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Numéro de pièce associé

IRFR3707TRL
STD38NH02L-1
STD38NH02L-1
$0 $/morceau
SUM70N03-09CP-E3
IRLU3714ZPBF
BSO4420T
BSO4420T
$0 $/morceau
SI1417EDH-T1-E3
IRFP354PBF
IRFP354PBF
$0 $/morceau
IXTK80N25
IXTK80N25
$0 $/morceau
STL150N3LLH5
STL150N3LLH5
$0 $/morceau

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