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IPG20N06S4L11AATMA1

IPG20N06S4L11AATMA1

IPG20N06S4L11AATMA1

MOSFET 2N-CH 8TDSON

non conforme

IPG20N06S4L11AATMA1 Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
5,000 $0.95281 -
0 items
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Active
type de FET 2 N-Channel (Dual)
fonctionnalité FET Logic Level Gate
Tension drain-source (vdss) 60V
courant - consommation continue (id) à 25°c 20A
rds activé (max) à id, vgs 11.2mOhm @ 17A, 10V
vgs(th) (max) à id 2.2V @ 28µA
charge de porte (qg) (max) @ vgs 53nC @ 10V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds 4020pF @ 25V
puissance - max 65W
température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
type de montage Surface Mount, Wettable Flank
paquet / étui 8-PowerVDFN
package d'appareils du fournisseur PG-TDSON-8-10
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Numéro de pièce associé

ALD110914SAL
AOSD21307
IRF7329TRPBF
DMG4800LSD-13
SIZ350DT-T1-GE3
FDC6306P
FDC6306P
$0 $/morceau
IPG20N06S415ATMA2
DMC31D5UDJ-7
SIA923EDJ-T1-GE3
SI7923DN-T1-E3
SI7923DN-T1-E3
$0 $/morceau

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