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FDC6306P

FDC6306P

FDC6306P

onsemi

MOSFET 2P-CH 20V 1.9A SSOT6

FDC6306P Fiche de données

compliant

FDC6306P Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
3,000 $0.16190 -
6,000 $0.15209 -
15,000 $0.14227 -
30,000 $0.13050 -
75,000 $0.12559 -
Inventory changes frequently.
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Active
type de FET 2 P-Channel (Dual)
fonctionnalité FET Logic Level Gate
Tension drain-source (vdss) 20V
courant - consommation continue (id) à 25°c 1.9A
rds activé (max) à id, vgs 170mOhm @ 1.9A, 4.5V
vgs(th) (max) à id 1.5V @ 250µA
charge de porte (qg) (max) @ vgs 4.2nC @ 4.5V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds 441pF @ 10V
puissance - max 700mW
température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
type de montage Surface Mount
paquet / étui SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
package d'appareils du fournisseur SuperSOT™-6
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Numéro de pièce associé

IPG20N06S415ATMA2
DMC31D5UDJ-7
SIA923EDJ-T1-GE3
SI7923DN-T1-E3
SI7923DN-T1-E3
$0 $/morceau
DMN5L06DMKQ-7
FDMS8860AS
HS8K1TB
HS8K1TB
$0 $/morceau
DMG8601UFG-7

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