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HS8K1TB

HS8K1TB

HS8K1TB

30V NCH+NCH POWER MOSFET

HS8K1TB Fiche de données

compliant

HS8K1TB Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
1 $0.92000 $0.92
500 $0.9108 $455.4
1000 $0.9016 $901.6
1500 $0.8924 $1338.6
2000 $0.8832 $1766.4
2500 $0.874 $2185
4480 items
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Active
type de FET 2 N-Channel (Dual)
fonctionnalité FET Standard
Tension drain-source (vdss) 30V
courant - consommation continue (id) à 25°c 10A (Ta), 11A (Ta)
rds activé (max) à id, vgs 14.6mOhm @ 10A, 10V, 11.8mOhm @ 11A, 10V
vgs(th) (max) à id 2.5V @ 1mA
charge de porte (qg) (max) @ vgs 6nC @ 10V, 7.4nC @ 10V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds 348pF @ 15V, 429pF @ 15V
puissance - max 2W (Ta)
température de fonctionnement 150°C (TJ)
type de montage Surface Mount
paquet / étui 8-UDFN Exposed Pad
package d'appareils du fournisseur HSML3030L10
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Numéro de pièce associé

DMG8601UFG-7
SI3590DV-T1-E3
SI3590DV-T1-E3
$0 $/morceau
VT6M1T2CR
VT6M1T2CR
$0 $/morceau
BUK9K5R1-30EX
BUK9K5R1-30EX
$0 $/morceau
QH8KC5TCR
QH8KC5TCR
$0 $/morceau
DMP2110UVT-13
IRF9956TRPBF
SPA15N65C3
2SJ172-E
IRF7316GTRPBF

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