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SI3590DV-T1-E3

SI3590DV-T1-E3

SI3590DV-T1-E3

MOSFET N/P-CH 30V 2.5A 6TSOP

compliant

SI3590DV-T1-E3 Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
3,000 $0.27120 -
6,000 $0.25360 -
15,000 $0.24480 -
30,000 $0.24000 -
0 items
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Active
type de FET N and P-Channel
fonctionnalité FET Logic Level Gate
Tension drain-source (vdss) 30V
courant - consommation continue (id) à 25°c 2.5A, 1.7A
rds activé (max) à id, vgs 77mOhm @ 3A, 4.5V
vgs(th) (max) à id 1.5V @ 250µA
charge de porte (qg) (max) @ vgs 4.5nC @ 4.5V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds -
puissance - max 830mW
température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
type de montage Surface Mount
paquet / étui SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
package d'appareils du fournisseur 6-TSOP
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Numéro de pièce associé

VT6M1T2CR
VT6M1T2CR
$0 $/morceau
BUK9K5R1-30EX
BUK9K5R1-30EX
$0 $/morceau
QH8KC5TCR
QH8KC5TCR
$0 $/morceau
DMP2110UVT-13
IRF9956TRPBF
SPA15N65C3
2SJ172-E
IRF7316GTRPBF
AO8810

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