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IPG20N06S4L26AATMA1

IPG20N06S4L26AATMA1

IPG20N06S4L26AATMA1

MOSFET 2N-CH 60V 20A 8TDSON

compliant

IPG20N06S4L26AATMA1 Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
5,000 $0.42705 -
10,000 $0.41100 -
Inventory changes frequently.
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Active
type de FET 2 N-Channel (Dual)
fonctionnalité FET Logic Level Gate
Tension drain-source (vdss) 60V
courant - consommation continue (id) à 25°c 20A
rds activé (max) à id, vgs 26mOhm @ 17A, 10V
vgs(th) (max) à id 2.2V @ 10µA
charge de porte (qg) (max) @ vgs 20nC @ 10V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds 1430pF @ 25V
puissance - max 33W
température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
type de montage Surface Mount, Wettable Flank
paquet / étui 8-PowerVDFN
package d'appareils du fournisseur PG-TDSON-8-10
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Numéro de pièce associé

SI4559ADY-T1-GE3
FD6M033N06
IAUC60N04S6L045HATMA1
NTZD5110NT1G
NTZD5110NT1G
$0 $/morceau
IRFH4253DTRPBF
AON6980
SQJ560EP-T1_BE3
DMN63D1LDW-7
ALD1106PBL

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