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IPI072N10N3GXKSA1

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MOSFET N-CH 100V 80A TO262-3

compliant

IPI072N10N3GXKSA1 Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
500 $1.56444 $782.22
500 items
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Discontinued at Digi-Key
type de FET N-Channel
technologie MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (vdss) 100 V
courant - consommation continue (id) à 25°c 80A (Tc)
tension de commande (rds max. activé, rds min. activé) 6V, 10V
rds activé (max) à id, vgs 7.2mOhm @ 80A, 10V
vgs(th) (max) à id 3.5V @ 90µA
charge de porte (qg) (max) @ vgs 68 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds 4910 pF @ 50 V
fonctionnalité FET -
puissance dissipée (max) 150W (Tc)
température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
type de montage Through Hole
package d'appareils du fournisseur PG-TO262-3
paquet / étui TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
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Numéro de pièce associé

STN4NF20L
STN4NF20L
$0 $/morceau
SI1416EDH-T1-GE3
IRFR7446TRPBF
IRFR110TRLPBF-BE3
NVMJS1D0N04CTWG
NVMJS1D0N04CTWG
$0 $/morceau
SCT3040KLGC11
FQB3N60CTM
FDD6670A
FDD6670A
$0 $/morceau
IRF9510PBF
IRF9510PBF
$0 $/morceau
DMT6011LSS-13

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