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IPP60R022S7XKSA1

IPP60R022S7XKSA1

IPP60R022S7XKSA1

MOSFET N-CH 600V 23A TO220-3

compliant

IPP60R022S7XKSA1 Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
1 $18.10000 $18.1
500 $17.919 $8959.5
1000 $17.738 $17738
1500 $17.557 $26335.5
2000 $17.376 $34752
2500 $17.195 $42987.5
1000 items
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Active
type de FET N-Channel
technologie MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (vdss) 600 V
courant - consommation continue (id) à 25°c 23A (Tc)
tension de commande (rds max. activé, rds min. activé) 12V
rds activé (max) à id, vgs 22mOhm @ 23A, 12V
vgs(th) (max) à id 4.5V @ 1.44mA
charge de porte (qg) (max) @ vgs 150 nC @ 12 V
vgs (max) ±20V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds 5639 pF @ 300 V
fonctionnalité FET -
puissance dissipée (max) 390W (Tc)
température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
type de montage Through Hole
package d'appareils du fournisseur PG-TO220-3-1
paquet / étui TO-220-3
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Numéro de pièce associé

DMP6110SFDF-13
SIHG15N60E-GE3
SIHG15N60E-GE3
$0 $/morceau
R6024VNX3C16
R6024VNX3C16
$0 $/morceau
CSD16325Q5
CSD16325Q5
$0 $/morceau
SI3458BDV-T1-BE3
IPL65R1K5C6SATMA1
NTDV20N06LT4G-VF01
NTDV20N06LT4G-VF01
$0 $/morceau
CSD13380F3
CSD13380F3
$0 $/morceau
IXFR4N100Q
IXFR4N100Q
$0 $/morceau
FQB33N10TM
FQB33N10TM
$0 $/morceau

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