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IPP60R160P7XKSA1

IPP60R160P7XKSA1

IPP60R160P7XKSA1

MOSFET N-CH 650V 20A TO220-3-1

compliant

IPP60R160P7XKSA1 Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
1 $3.80000 $3.8
500 $3.762 $1881
1000 $3.724 $3724
1500 $3.686 $5529
2000 $3.648 $7296
2500 $3.61 $9025
567 items
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Active
type de FET N-Channel
technologie MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (vdss) 650 V
courant - consommation continue (id) à 25°c 20A (Tc)
tension de commande (rds max. activé, rds min. activé) 10V
rds activé (max) à id, vgs 160mOhm @ 6.3A, 10V
vgs(th) (max) à id 4V @ 350µA
charge de porte (qg) (max) @ vgs 31 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds 1317 pF @ 400 V
fonctionnalité FET -
puissance dissipée (max) 81W (Tc)
température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
type de montage Through Hole
package d'appareils du fournisseur PG-TO220-3-1
paquet / étui TO-220-3
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Numéro de pièce associé

ZVN4206GTC
ZVN4206GTC
$0 $/morceau
AOD9N40
AUIRF2804S
BUZ73AH3046
SI8816EDB-T2-E1
SIHA18N60E-GE3
SIHA18N60E-GE3
$0 $/morceau
FDPF14N30
FDPF14N30
$0 $/morceau
AOW12N65
SQD10950E_GE3
SQD10950E_GE3
$0 $/morceau

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