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SIHA18N60E-GE3

SIHA18N60E-GE3

SIHA18N60E-GE3

N-CHANNEL 600V

non conforme

SIHA18N60E-GE3 Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
1 $3.32000 $3.32
500 $3.2868 $1643.4
1000 $3.2536 $3253.6
1500 $3.2204 $4830.6
2000 $3.1872 $6374.4
2500 $3.154 $7885
0 items
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Active
type de FET N-Channel
technologie MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (vdss) 600 V
courant - consommation continue (id) à 25°c 18A (Tc)
tension de commande (rds max. activé, rds min. activé) 10V
rds activé (max) à id, vgs 202mOhm @ 9A, 10V
vgs(th) (max) à id 4V @ 250µA
charge de porte (qg) (max) @ vgs 92 nC @ 10 V
vgs (max) ±30V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds 1640 pF @ 100 V
fonctionnalité FET -
puissance dissipée (max) 34W (Tc)
température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
type de montage Through Hole
package d'appareils du fournisseur TO-220 Full Pack
paquet / étui TO-220-3 Full Pack
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Numéro de pièce associé

FDPF14N30
FDPF14N30
$0 $/morceau
AOW12N65
SQD10950E_GE3
SQD10950E_GE3
$0 $/morceau
FDI150N10
FDI150N10
$0 $/morceau
UF3C065040B3
UF3C065040B3
$0 $/morceau
IPD15N06S2L64ATMA2
HUFA75645S3S
5HN01M-TL-H
5HN01M-TL-H
$0 $/morceau
FQU5P20TU
FQU5P20TU
$0 $/morceau

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