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IPS65R1K0CEAKMA1

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MOSFET N-CH 650V 4.3A TO251

non conforme

IPS65R1K0CEAKMA1 Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
1,500 $0.34320 -
1878 items
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Discontinued at Digi-Key
type de FET N-Channel
technologie MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (vdss) 650 V
courant - consommation continue (id) à 25°c 4.3A (Tc)
tension de commande (rds max. activé, rds min. activé) 10V
rds activé (max) à id, vgs 1Ohm @ 1.5A, 10V
vgs(th) (max) à id 3.5V @ 200µA
charge de porte (qg) (max) @ vgs 15.3 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds 328 pF @ 100 V
fonctionnalité FET -
puissance dissipée (max) 37W (Tc)
température de fonctionnement -40°C ~ 150°C (TJ)
type de montage Through Hole
package d'appareils du fournisseur TO-251
paquet / étui TO-251-3 Stub Leads, IPak
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Numéro de pièce associé

BTS247ZE3062AATMA2
MGSF3455XT1
MGSF3455XT1
$0 $/morceau
NVMYS2D2N06CLTWG
NVMYS2D2N06CLTWG
$0 $/morceau
FQP20N06L
FQP20N06L
$0 $/morceau
IPB014N06NATMA1
PJC7439_R1_00001
STFW38N65M5
STFW38N65M5
$0 $/morceau
STL105N4LF7AG
FQD5P20TM
FQD5P20TM
$0 $/morceau

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