Welcome to ichome.com!
Nom | Valeur |
---|---|
statut du produit | Discontinued at Digi-Key |
type de FET | N-Channel |
technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Tension drain-source (vdss) | 650 V |
courant - consommation continue (id) à 25°c | 4.3A (Tc) |
tension de commande (rds max. activé, rds min. activé) | 10V |
rds activé (max) à id, vgs | 1Ohm @ 1.5A, 10V |
vgs(th) (max) à id | 3.5V @ 200µA |
charge de porte (qg) (max) @ vgs | 15.3 nC @ 10 V |
vgs (max) | ±20V |
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds | 328 pF @ 100 V |
fonctionnalité FET | - |
puissance dissipée (max) | 37W (Tc) |
température de fonctionnement | -40°C ~ 150°C (TJ) |
type de montage | Through Hole |
package d'appareils du fournisseur | TO-251 |
paquet / étui | TO-251-3 Stub Leads, IPak |
Dédié à dépasser vos attentes. IChome : le service client redéfini pour l'industrie électronique.