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IPU60R2K1CEAKMA1

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CONSUMER

compliant

IPU60R2K1CEAKMA1 Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
1,500 $0.23450 -
Inventory changes frequently.
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Active
type de FET N-Channel
technologie MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (vdss) 600 V
courant - consommation continue (id) à 25°c 3.7A (Tc)
tension de commande (rds max. activé, rds min. activé) 10V
rds activé (max) à id, vgs 2.1Ohm @ 760mA, 10V
vgs(th) (max) à id 3.5V @ 60µA
charge de porte (qg) (max) @ vgs 6.7 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds 140 pF @ 100 V
fonctionnalité FET -
puissance dissipée (max) 38W (Tc)
température de fonctionnement -40°C ~ 150°C (TJ)
type de montage Through Hole
package d'appareils du fournisseur PG-TO251-3
paquet / étui TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
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Numéro de pièce associé

BUK6D385-100EX
R8011KNXC7G
R8011KNXC7G
$0 $/morceau
DMJ70H1D3SK3-13
ISC0703NLSATMA1
DMP21D0UFB-7
IRFU7540PBF
STL60P4LLF6
STL60P4LLF6
$0 $/morceau
IXFP34N65X3
IXFP34N65X3
$0 $/morceau
2N7000-D74Z
2N7000-D74Z
$0 $/morceau
IXFX170N20T
IXFX170N20T
$0 $/morceau

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