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2N7000-D74Z

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2N7000-D74Z

onsemi

MOSFET N-CH 60V 200MA TO92-3

compliant

2N7000-D74Z Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
2,000 $0.11924 -
6,000 $0.11290 -
10,000 $0.10339 -
50,000 $0.08755 -
100,000 $0.08628 -
Inventory changes frequently.
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Active
type de FET N-Channel
technologie MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (vdss) 60 V
courant - consommation continue (id) à 25°c 200mA (Ta)
tension de commande (rds max. activé, rds min. activé) 4.5V, 10V
rds activé (max) à id, vgs 5Ohm @ 500mA, 10V
vgs(th) (max) à id 3V @ 1mA
charge de porte (qg) (max) @ vgs -
vgs (max) ±20V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds 50 pF @ 25 V
fonctionnalité FET -
puissance dissipée (max) 400mW (Ta)
température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
type de montage Through Hole
package d'appareils du fournisseur TO-92-3
paquet / étui TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
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Numéro de pièce associé

IXFX170N20T
IXFX170N20T
$0 $/morceau
2N7002-TP
2N7002-TP
$0 $/morceau
BUK9M11-40HX
BUK9M11-40HX
$0 $/morceau
BSZ440N10NS3GATMA1
NTS2101PT1G
NTS2101PT1G
$0 $/morceau
RM40N100LD
RM40N100LD
$0 $/morceau
STP40NF12
STP40NF12
$0 $/morceau
AOK125A60
IXFT70N20Q3
IXFT70N20Q3
$0 $/morceau
SIHB053N60E-GE3

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