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SIHB053N60E-GE3

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SIHB053N60E-GE3

E SERIES POWER MOSFET D2PAK (TO-

non conforme

SIHB053N60E-GE3 Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
1 $6.62000 $6.62
500 $6.5538 $3276.9
1000 $6.4876 $6487.6
1500 $6.4214 $9632.1
2000 $6.3552 $12710.4
2500 $6.289 $15722.5
0 items
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Active
type de FET N-Channel
technologie MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (vdss) 600 V
courant - consommation continue (id) à 25°c 47A (Tc)
tension de commande (rds max. activé, rds min. activé) 10V
rds activé (max) à id, vgs 54mOhm @ 26.5A, 10V
vgs(th) (max) à id 5V @ 250µA
charge de porte (qg) (max) @ vgs 92 nC @ 10 V
vgs (max) ±30V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds 3722 pF @ 100 V
fonctionnalité FET -
puissance dissipée (max) 278W (Tc)
température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
type de montage Surface Mount
package d'appareils du fournisseur D²PAK (TO-263)
paquet / étui TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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Numéro de pièce associé

FQD5N30TF
DMN5L06WK-7
DMN5L06WK-7
$0 $/morceau
STD17NF25
STD17NF25
$0 $/morceau
FQT13N06TF
FQT13N06TF
$0 $/morceau
STH300NH02L-6
SI2310-TP
SI2310-TP
$0 $/morceau
FQP24N08
FQP24N08
$0 $/morceau
SFT1423-E
SFT1423-E
$0 $/morceau
ZXMP10A18GTA

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