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IRF7853TRPBF

IRF7853TRPBF

IRF7853TRPBF

MOSFET N-CH 100V 8.3A 8SO

compliant

IRF7853TRPBF Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
4,000 $0.59136 -
8,000 $0.56179 -
12,000 $0.54067 -
Inventory changes frequently.
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Active
type de FET N-Channel
technologie MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (vdss) 100 V
courant - consommation continue (id) à 25°c 8.3A (Ta)
tension de commande (rds max. activé, rds min. activé) 10V
rds activé (max) à id, vgs 18mOhm @ 8.3A, 10V
vgs(th) (max) à id 4.9V @ 100µA
charge de porte (qg) (max) @ vgs 39 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds 1640 pF @ 25 V
fonctionnalité FET -
puissance dissipée (max) 2.5W (Ta)
température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
type de montage Surface Mount
package d'appareils du fournisseur 8-SO
paquet / étui 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
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Numéro de pièce associé

DMN3731UFB4-7B
FDB8880
FDB8880
$0 $/morceau
NTE490
NTE490
$0 $/morceau
RM11N800T2
RM11N800T2
$0 $/morceau
IPB026N06NATMA1
SPD04P10PLGBTMA1
FQPF18N20V2YDTU
IXTA160N10T
IXTA160N10T
$0 $/morceau
P3M12040G7

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