Welcome to ichome.com!

logo
Maison

IRF9Z34NSPBF

IRF9Z34NSPBF

IRF9Z34NSPBF

MOSFET P-CH 55V 19A D2PAK

compliant

IRF9Z34NSPBF Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
1 $0.00000 $0
500 $0 $0
1000 $0 $0
1500 $0 $0
2000 $0 $0
2500 $0 $0
Inventory changes frequently.
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Discontinued at Digi-Key
type de FET P-Channel
technologie MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (vdss) 55 V
courant - consommation continue (id) à 25°c 19A (Tc)
tension de commande (rds max. activé, rds min. activé) 10V
rds activé (max) à id, vgs 100mOhm @ 10A, 10V
vgs(th) (max) à id 4V @ 250µA
charge de porte (qg) (max) @ vgs 35 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds 620 pF @ 25 V
fonctionnalité FET -
puissance dissipée (max) 3.8W (Ta), 68W (Tc)
température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
type de montage Surface Mount
package d'appareils du fournisseur D2PAK
paquet / étui TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Le chargement du PDF a échoué, vous pouvez essayer de l'ouvrir dans une nouvelle fenêtre pour y accéder [Ouvrir], ou cliquez pour revenir

Numéro de pièce associé

IXFH26N50
IXFH26N50
$0 $/morceau
IXTC230N085T
IXTC230N085T
$0 $/morceau
IPP037N06L3G
NVMFS5C442NLWFT3G
NVMFS5C442NLWFT3G
$0 $/morceau
PHB176NQ04T,118
PHB176NQ04T,118
$0 $/morceau
ZVN2106ASTOB
AUIRF7739L2
FQB4P25TM
FQB4P25TM
$0 $/morceau
R6030KNZC8
R6030KNZC8
$0 $/morceau
SI3483DV-T1-GE3

Votre partenaire fiable en électronique

Dédié à dépasser vos attentes. IChome : le service client redéfini pour l'industrie électronique.