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IRFB17N20D

IRFB17N20D

IRFB17N20D

MOSFET N-CH 200V 16A TO220AB

non conforme

IRFB17N20D Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
1 $0.00000 $0
500 $0 $0
1000 $0 $0
1500 $0 $0
2000 $0 $0
2500 $0 $0
0 items
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Obsolete
type de FET N-Channel
technologie MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (vdss) 200 V
courant - consommation continue (id) à 25°c 16A (Tc)
tension de commande (rds max. activé, rds min. activé) 10V
rds activé (max) à id, vgs 170mOhm @ 9.8A, 10V
vgs(th) (max) à id 5.5V @ 250µA
charge de porte (qg) (max) @ vgs 50 nC @ 10 V
vgs (max) ±30V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds 1100 pF @ 25 V
fonctionnalité FET -
puissance dissipée (max) 3.8W (Ta), 140W (Tc)
température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
type de montage Through Hole
package d'appareils du fournisseur TO-220AB
paquet / étui TO-220-3
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Numéro de pièce associé

IXFT13N100
IXFT13N100
$0 $/morceau
FQU5N50CTU
FQU5N50CTU
$0 $/morceau
IRF3717TRPBF-1
RZY200P01TL
RZY200P01TL
$0 $/morceau
AOB20C60L
STF26NM60N-H
STF26NM60N-H
$0 $/morceau
NVD5414NT4G
NVD5414NT4G
$0 $/morceau
IRF7807VD1
IRF2903ZSTRLP

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