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IRL6372TRPBF

IRL6372TRPBF

IRL6372TRPBF

MOSFET 2N-CH 30V 8.1A 8SOIC

non conforme

IRL6372TRPBF Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
4,000 $0.39056 -
8,000 $0.36649 -
12,000 $0.35446 -
28,000 $0.34789 -
0 items
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Active
type de FET 2 N-Channel (Dual)
fonctionnalité FET Logic Level Gate
Tension drain-source (vdss) 30V
courant - consommation continue (id) à 25°c 8.1A
rds activé (max) à id, vgs 17.9mOhm @ 8.1A, 4.5V
vgs(th) (max) à id 1.1V @ 10µA
charge de porte (qg) (max) @ vgs 11nC @ 4.5V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds 1020pF @ 25V
puissance - max 2W
température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
type de montage Surface Mount
paquet / étui 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
package d'appareils du fournisseur 8-SO
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Numéro de pièce associé

CSD87334Q3D
CSD87334Q3D
$0 $/morceau
ALD110814PCL
SI7997DP-T1-GE3
BSS84AKV,115
BSS84AKV,115
$0 $/morceau
DMN2025UFDB-13
SQJQ906EL-T1_GE3
DMT3020UFDB-7
TC8020K6-G
TC8020K6-G
$0 $/morceau
EFC6611R-TF
EFC6611R-TF
$0 $/morceau
DMN1003UCA6-7

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