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Nom | Valeur |
---|---|
statut du produit | Active |
type de FET | N-Channel |
technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Tension drain-source (vdss) | 415 V |
courant - consommation continue (id) à 25°c | 5mA (Ta) |
tension de commande (rds max. activé, rds min. activé) | 0.35V |
rds activé (max) à id, vgs | 14Ohm @ 50mA, 350mV |
vgs(th) (max) à id | - |
charge de porte (qg) (max) @ vgs | - |
vgs (max) | ±20V |
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds | 300 pF @ 0 V |
fonctionnalité FET | Depletion Mode |
puissance dissipée (max) | 2.5W (Ta) |
température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C (TA) |
type de montage | Surface Mount |
package d'appareils du fournisseur | SOT-223 |
paquet / étui | TO-261-4, TO-261AA |
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