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IXFH24N50

IXFH24N50

IXFH24N50

IXYS

MOSFET N-CH 500V 24A TO247AD

IXFH24N50 Fiche de données

compliant

IXFH24N50 Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
1 $9.45000 $9.45
30 $7.74900 $232.47
120 $6.99300 $839.16
510 $5.85900 $2988.09
1,020 $5.29200 -
0 items
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Not For New Designs
type de FET N-Channel
technologie MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (vdss) 500 V
courant - consommation continue (id) à 25°c 24A (Tc)
tension de commande (rds max. activé, rds min. activé) 10V
rds activé (max) à id, vgs 230mOhm @ 12A, 10V
vgs(th) (max) à id 4V @ 4mA
charge de porte (qg) (max) @ vgs 160 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds 4200 pF @ 25 V
fonctionnalité FET -
puissance dissipée (max) 300W (Tc)
température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
type de montage Through Hole
package d'appareils du fournisseur TO-247AD (IXFH)
paquet / étui TO-247-3
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Numéro de pièce associé

FQP19N20C_F080
FQP19N20C_F080
$0 $/morceau
BUK725R0-40C,118
2N7002BKM,315
2N7002BKM,315
$0 $/morceau
SI6473DQ-T1-E3
SI6473DQ-T1-E3
$0 $/morceau
SPU03N60C3BKMA1
FQPF10N60CT
FQPF10N60CT
$0 $/morceau
NDD04N60ZT4G
NDD04N60ZT4G
$0 $/morceau
SIRA34DP-T1-GE3
AON6528
IPB120N06S403ATMA1

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