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IXFN170N30P

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IXFN170N30P

IXYS

MOSFET N-CH 300V 138A SOT-227B

compliant

IXFN170N30P Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
10 $32.19000 $321.9
Inventory changes frequently.
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Active
type de FET N-Channel
technologie MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (vdss) 300 V
courant - consommation continue (id) à 25°c 138A (Tc)
tension de commande (rds max. activé, rds min. activé) 10V
rds activé (max) à id, vgs 18mOhm @ 85A, 10V
vgs(th) (max) à id 4.5V @ 1mA
charge de porte (qg) (max) @ vgs 258 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds 20000 pF @ 25 V
fonctionnalité FET -
puissance dissipée (max) 890W (Tc)
température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
type de montage Chassis Mount
package d'appareils du fournisseur SOT-227B
paquet / étui SOT-227-4, miniBLOC
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Numéro de pièce associé

ES6U1T2R
ES6U1T2R
$0 $/morceau
STE53NC50
STE53NC50
$0 $/morceau
SQD40P10-40L_GE3
SI3469DV-T1-GE3
STF10NM60ND
STF10NM60ND
$0 $/morceau
HUF76121S3ST
IRFP460C
IRFSL4010PBF

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