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IXTH3N100P

IXTH3N100P

IXTH3N100P

IXYS

MOSFET N-CH 1000V 3A TO247

compliant

IXTH3N100P Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
30 $3.55500 $106.65
Inventory changes frequently.
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Active
type de FET N-Channel
technologie MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (vdss) 1000 V
courant - consommation continue (id) à 25°c 3A (Tc)
tension de commande (rds max. activé, rds min. activé) 10V
rds activé (max) à id, vgs 4.8Ohm @ 1.5A, 10V
vgs(th) (max) à id 4.5V @ 250µA
charge de porte (qg) (max) @ vgs 39 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds 1100 pF @ 25 V
fonctionnalité FET -
puissance dissipée (max) 125W (Tc)
température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
type de montage Through Hole
package d'appareils du fournisseur TO-247 (IXTH)
paquet / étui TO-247-3
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Numéro de pièce associé

SQM120N03-1M5L_GE3
DMT6005LSS-13
HUF75623P3
SPB04N60C3E3045A
FDN352AP
FDN352AP
$0 $/morceau
SQA411CEJW-T1_GE3
FDBL0260N100
FDBL0260N100
$0 $/morceau
RM120N30DF
RM120N30DF
$0 $/morceau

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