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Nom | Valeur |
---|---|
statut du produit | Active |
type de FET | N-Channel |
technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Tension drain-source (vdss) | - |
courant - consommation continue (id) à 25°c | - |
tension de commande (rds max. activé, rds min. activé) | - |
rds activé (max) à id, vgs | - |
vgs(th) (max) à id | - |
charge de porte (qg) (max) @ vgs | - |
vgs (max) | - |
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds | - |
fonctionnalité FET | - |
puissance dissipée (max) | - |
température de fonctionnement | - |
type de montage | Through Hole |
package d'appareils du fournisseur | TO-3P |
paquet / étui | TO-3P-3, SC-65-3 |
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