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IXTT4N150HV

IXTT4N150HV

IXTT4N150HV

IXYS

MOSFET N-CH 1500V 4A TO268

non conforme

IXTT4N150HV Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
1 $26.40000 $26.4
30 $22.44000 $673.2
120 $20.85600 $2502.72
510 $18.48000 $9424.8
40 items
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Active
type de FET N-Channel
technologie MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (vdss) 1500 V
courant - consommation continue (id) à 25°c 4A (Tc)
tension de commande (rds max. activé, rds min. activé) 10V
rds activé (max) à id, vgs 6Ohm @ 500mA, 10V
vgs(th) (max) à id 5V @ 250µA
charge de porte (qg) (max) @ vgs 44.5 nC @ 10 V
vgs (max) ±30V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds 1576 pF @ 25 V
fonctionnalité FET -
puissance dissipée (max) 280W (Tc)
température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
type de montage Surface Mount
package d'appareils du fournisseur TO-268AA
paquet / étui TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
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Numéro de pièce associé

BUK962R8-60E,118
NTMJS0D8N04CLTWG
NTMJS0D8N04CLTWG
$0 $/morceau
IXTK140N20P
IXTK140N20P
$0 $/morceau
AON6516
SIHP21N60EF-GE3
DMNH10H028SK3Q-13
IXTP2R4N120P
IXTP2R4N120P
$0 $/morceau

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