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| Nom | Valeur |
|---|---|
| statut du produit | Obsolete |
| type de transistor | NPN - Pre-Biased + Diode |
| courant - collecteur (ic) (max) | 100 mA |
| tension - claquage collecteur-émetteur (max) | 50 V |
| résistance - base (r1) | 22 kOhms |
| résistance - base émettrice (r2) | 22 kOhms |
| gain de courant continu (hfe) (min) @ ic, vce | 56 @ 5mA, 5V |
| saturation vce (max) à ib, ic | 300mV @ 500µA, 10mA |
| courant - coupure du collecteur (max) | 500nA |
| fréquence - transition | 250 MHz |
| puissance - max | 300 mW |
| type de montage | Through Hole |
| paquet / étui | TO-226-3, TO-92-3 Short Body (Formed Leads) |
| package d'appareils du fournisseur | TO-92S |
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