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SI2318A-TP

SI2318A-TP

SI2318A-TP

MOSFET N-CH SOT23-3

compliant

SI2318A-TP Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
3,000 $0.08550 -
6,000 $0.07790 -
15,000 $0.07030 -
30,000 $0.06650 -
75,000 $0.06270 -
Inventory changes frequently.
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Active
type de FET N-Channel
technologie MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (vdss) 40 V
courant - consommation continue (id) à 25°c 5A (Ta)
tension de commande (rds max. activé, rds min. activé) 4.5V, 10V
rds activé (max) à id, vgs 45mOhm @ 5A, 10V
vgs(th) (max) à id 1.8V @ 250µA
charge de porte (qg) (max) @ vgs 5.4 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds 330 pF @ 20 V
fonctionnalité FET -
puissance dissipée (max) 1.2W
température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
type de montage Surface Mount
package d'appareils du fournisseur SOT-23
paquet / étui TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
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Numéro de pièce associé

SISS04DN-T1-GE3
HUF75343G3
BUK7222-55A,118
SIDR392DP-T1-GE3
FDP047AN08A0-F102
FDP047AN08A0-F102
$0 $/morceau
STP13NM60N
STP13NM60N
$0 $/morceau
IXFR18N90P
IXFR18N90P
$0 $/morceau
SQ2308CES-T1_BE3
SUD40N08-16-E3
SUD40N08-16-E3
$0 $/morceau

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