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APT34N80B2C3G

APT34N80B2C3G

APT34N80B2C3G

MOSFET N-CH 800V 34A T-MAX

compliant

APT34N80B2C3G Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
1 $11.42000 $11.42
10 $10.38400 $103.84
100 $8.82610 $882.61
500 $7.52812 $3764.06
1,000 $7.26852 -
41 items
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Active
type de FET N-Channel
technologie MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (vdss) 800 V
courant - consommation continue (id) à 25°c 34A (Tc)
tension de commande (rds max. activé, rds min. activé) 10V
rds activé (max) à id, vgs 145mOhm @ 22A, 10V
vgs(th) (max) à id 3.9V @ 2mA
charge de porte (qg) (max) @ vgs 355 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds 4510 pF @ 25 V
fonctionnalité FET -
puissance dissipée (max) 417W (Tc)
température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
type de montage Through Hole
package d'appareils du fournisseur T-MAX™ [B2]
paquet / étui TO-247-3 Variant
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Numéro de pièce associé

IPD053N08N3GATMA1
IXTP14N60PM
IXTP14N60PM
$0 $/morceau
PMPB15XPZ
PMPB15XPZ
$0 $/morceau
SI4894BDY-T1-E3
BUK765R2-40B,118
IPD80R2K7C3AATMA1
FDPF3860T
FDPF3860T
$0 $/morceau
AOD450

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