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LND01K1-G

LND01K1-G

LND01K1-G

MOSFET N-CH 9V 330MA SOT23-5

SOT-23

LND01K1-G Fiche de données

non conforme

LND01K1-G Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
3,000 $0.33166 -
0 items
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Active
type de FET N-Channel
technologie MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (vdss) 9 V
courant - consommation continue (id) à 25°c 330mA (Tj)
tension de commande (rds max. activé, rds min. activé) 0V
rds activé (max) à id, vgs 1.4Ohm @ 100mA, 0V
vgs(th) (max) à id -
charge de porte (qg) (max) @ vgs -
vgs (max) +0.6V, -12V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds 46 pF @ 5 V
fonctionnalité FET Depletion Mode
puissance dissipée (max) 360mW (Ta)
température de fonctionnement -25°C ~ 125°C (TJ)
type de montage Surface Mount
package d'appareils du fournisseur SOT-23-5
paquet / étui SC-74A, SOT-753
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Numéro de pièce associé

FQD2N80TM
FQD2N80TM
$0 $/morceau
NTD4959NHT4G
NTD4959NHT4G
$0 $/morceau
DMN3028LQ-7
DMN3028LQ-7
$0 $/morceau
DMPH6250S-13
IRFW630BTM-FP001
IRFW630BTM-FP001
$0 $/morceau
TN0610N3-G
TN0610N3-G
$0 $/morceau
IRFR1010ZTRPBF
STL8N6LF6AG
STL8N6LF6AG
$0 $/morceau
DMT67M8LSS-13
SI2319CDS-T1-BE3

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