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LND150N8-G

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MOSFET N-CH 500V 30MA SOT89-3

compliant

LND150N8-G Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
2,000 $0.46351 -
Inventory changes frequently.
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Active
type de FET N-Channel
technologie MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (vdss) 500 V
courant - consommation continue (id) à 25°c 30mA (Tj)
tension de commande (rds max. activé, rds min. activé) 0V
rds activé (max) à id, vgs 1000Ohm @ 500µA, 0V
vgs(th) (max) à id -
charge de porte (qg) (max) @ vgs -
vgs (max) ±20V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds 10 pF @ 25 V
fonctionnalité FET Depletion Mode
puissance dissipée (max) 1.6W (Ta)
température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
type de montage Surface Mount
package d'appareils du fournisseur SOT-89-3
paquet / étui TO-243AA
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Numéro de pièce associé

BSC009NE2LS5IATMA1
FDMF6704A
FDMF6704A
$0 $/morceau
IRFI830GPBF
IRFI830GPBF
$0 $/morceau
SIHA22N60AE-E3
SIHA22N60AE-E3
$0 $/morceau
SQA401CEJW-T1_GE3
IRFR120NTRPBF
STP35N60DM2
STP35N60DM2
$0 $/morceau
FQP17P06
FQP17P06
$0 $/morceau

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