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MSCSM120TLM08CAG

MSCSM120TLM08CAG

MSCSM120TLM08CAG

PM-MOSFET-SIC-SBD-SP6C

compliant

MSCSM120TLM08CAG Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
1 $1072.13000 $1072.13
500 $1061.4087 $530704.35
1000 $1050.6874 $1050687.4
1500 $1039.9661 $1559949.15
2000 $1029.2448 $2058489.6
2500 $1018.5235 $2546308.75
5 items
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Active
type de FET 4 N-Channel (Three Level Inverter)
fonctionnalité FET Silicon Carbide (SiC)
Tension drain-source (vdss) 1200V (1.2kV)
courant - consommation continue (id) à 25°c 333A (Tc)
rds activé (max) à id, vgs 7.8mOhm @ 80A, 20V
vgs(th) (max) à id 2.8V @ 4mA
charge de porte (qg) (max) @ vgs 928nC @ 20V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds 12000pF @ 1000V
puissance - max 1378W (Tc)
température de fonctionnement -40°C ~ 175°C (TJ)
type de montage Chassis Mount
paquet / étui Module
package d'appareils du fournisseur SP6C
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Numéro de pièce associé

MSC017SMA120B
MCB40P1200LB-TRR
MCB40P1200LB-TRR
$0 $/morceau
DMTH8030LPDW-13
FW217A-TL-2WX
FW217A-TL-2WX
$0 $/morceau
MCGD25N04-TP
DMTH8030LPDWQ-13
BSS84DW-TP
BSS84DW-TP
$0 $/morceau
MSCSM120TLM31C3AG
NVMFD016N06CT1G
NVMFD016N06CT1G
$0 $/morceau

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