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TC6320TG-G

TC6320TG-G

TC6320TG-G

MOSFET N/P-CH 200V 8SOIC

compliant

TC6320TG-G Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
3,300 $1.05266 -
0 items
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Active
type de FET N and P-Channel
fonctionnalité FET Standard
Tension drain-source (vdss) 200V
courant - consommation continue (id) à 25°c -
rds activé (max) à id, vgs 7Ohm @ 1A, 10V
vgs(th) (max) à id 2V @ 1mA
charge de porte (qg) (max) @ vgs -
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds 110pF @ 25V
puissance - max -
température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
type de montage Surface Mount
paquet / étui 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
package d'appareils du fournisseur 8-SOIC
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Numéro de pièce associé

BUK7K35-60EX
BUK7K35-60EX
$0 $/morceau
DMP2900UV-7
DMP2900UV-7
$0 $/morceau
ALD110900SAL
DMN2991UDJ-7
DMG1029SVQ-7
NTLJD3181PZTBG
NTLJD3181PZTBG
$0 $/morceau
SI4925BDY-T1-E3
NVMFD6H840NLT1G
NVMFD6H840NLT1G
$0 $/morceau

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