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SI4925BDY-T1-E3

SI4925BDY-T1-E3

SI4925BDY-T1-E3

MOSFET 2P-CH 30V 5.3A 8-SOIC

compliant

SI4925BDY-T1-E3 Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
2,500 $0.56859 -
5,000 $0.54189 -
12,500 $0.52282 -
10658 items
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Active
type de FET 2 P-Channel (Dual)
fonctionnalité FET Logic Level Gate
Tension drain-source (vdss) 30V
courant - consommation continue (id) à 25°c 5.3A
rds activé (max) à id, vgs 25mOhm @ 7.1A, 10V
vgs(th) (max) à id 3V @ 250µA
charge de porte (qg) (max) @ vgs 50nC @ 10V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds -
puissance - max 1.1W
température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
type de montage Surface Mount
paquet / étui 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
package d'appareils du fournisseur 8-SOIC
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Numéro de pièce associé

NVMFD6H840NLT1G
NVMFD6H840NLT1G
$0 $/morceau
APTM100TA35FPG
MCCD2007-TP
MCCD2007-TP
$0 $/morceau
SI3552DV-T1-GE3
DMT3020LFDB-7
FDG6308P
FDG6308P
$0 $/morceau
BUK9K30-80EX
BUK9K30-80EX
$0 $/morceau
FF23MR12W1M1B11BOMA1
SMA5118
SMA5118
$0 $/morceau
SQJB00EP-T1_GE3

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