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SQJB00EP-T1_GE3

SQJB00EP-T1_GE3

SQJB00EP-T1_GE3

MOSFET 2 N-CH 60V POWERPAK SO8

compliant

SQJB00EP-T1_GE3 Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
3,000 $0.51168 -
6,000 $0.48766 -
15,000 $0.47050 -
Inventory changes frequently.
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Active
type de FET 2 N-Channel (Dual)
fonctionnalité FET Standard
Tension drain-source (vdss) 60V
courant - consommation continue (id) à 25°c 30A (Tc)
rds activé (max) à id, vgs 13mOhm @ 10A, 10V
vgs(th) (max) à id 3.5V @ 250µA
charge de porte (qg) (max) @ vgs 35nC @ 10V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds 1700pF @ 25V
puissance - max 48W
température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
type de montage Surface Mount
paquet / étui PowerPAK® SO-8 Dual
package d'appareils du fournisseur PowerPAK® SO-8 Dual
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Numéro de pièce associé

DMN2053UFDBQ-13
BUK7K17-80EX
BUK7K17-80EX
$0 $/morceau
NTMFD5C446NLT1G
NTMFD5C446NLT1G
$0 $/morceau
NTMFD5C470NLT1G
NTMFD5C470NLT1G
$0 $/morceau
2N7002VA-7
2N7002VA-7
$0 $/morceau
AO4854
SI6968BEDQ-T1-GE3
CSD88539NDT
CSD88539NDT
$0 $/morceau
TC8220K6-G
TC8220K6-G
$0 $/morceau
FDS6990S

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