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SI6968BEDQ-T1-GE3

SI6968BEDQ-T1-GE3

SI6968BEDQ-T1-GE3

MOSFET 2N-CH 20V 5.2A 8-TSSOP

compliant

SI6968BEDQ-T1-GE3 Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
3,000 $0.26374 -
6,000 $0.24663 -
15,000 $0.23807 -
30,000 $0.23340 -
Inventory changes frequently.
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Active
type de FET 2 N-Channel (Dual) Common Drain
fonctionnalité FET Logic Level Gate
Tension drain-source (vdss) 20V
courant - consommation continue (id) à 25°c 5.2A
rds activé (max) à id, vgs 22mOhm @ 6.5A, 4.5V
vgs(th) (max) à id 1.6V @ 250µA
charge de porte (qg) (max) @ vgs 18nC @ 4.5V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds -
puissance - max 1W
température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
type de montage Surface Mount
paquet / étui 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
package d'appareils du fournisseur 8-TSSOP
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Numéro de pièce associé

CSD88539NDT
CSD88539NDT
$0 $/morceau
TC8220K6-G
TC8220K6-G
$0 $/morceau
FDS6990S
DMN3060LVT-7
SIZF906DT-T1-GE3
DMC2004DWK-7
SI6933DQ
IPB65R280E6
IPG20N04S408ATMA1

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