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SI3552DV-T1-GE3

SI3552DV-T1-GE3

SI3552DV-T1-GE3

MOSFET N/P-CH 30V 6-TSOP

compliant

SI3552DV-T1-GE3 Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
3,000 $0.35595 -
6,000 $0.33285 -
15,000 $0.32130 -
30,000 $0.31500 -
0 items
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Active
type de FET N and P-Channel
fonctionnalité FET Logic Level Gate
Tension drain-source (vdss) 30V
courant - consommation continue (id) à 25°c 2.5A
rds activé (max) à id, vgs 105mOhm @ 2.5A, 10V
vgs(th) (max) à id 1V @ 250µA (Min)
charge de porte (qg) (max) @ vgs 3.2nC @ 5V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds -
puissance - max 1.15W
température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
type de montage Surface Mount
paquet / étui SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
package d'appareils du fournisseur 6-TSOP
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Numéro de pièce associé

DMT3020LFDB-7
FDG6308P
FDG6308P
$0 $/morceau
BUK9K30-80EX
BUK9K30-80EX
$0 $/morceau
FF23MR12W1M1B11BOMA1
SMA5118
SMA5118
$0 $/morceau
SQJB00EP-T1_GE3
DMN2053UFDBQ-13
BUK7K17-80EX
BUK7K17-80EX
$0 $/morceau
NTMFD5C446NLT1G
NTMFD5C446NLT1G
$0 $/morceau
NTMFD5C470NLT1G
NTMFD5C470NLT1G
$0 $/morceau

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