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| Nom | Valeur |
|---|---|
| statut du produit | Obsolete |
| type de FET | 2 N-Channel (Half Bridge) |
| fonctionnalité FET | Silicon Carbide (SiC) |
| Tension drain-source (vdss) | 1000V (1kV) |
| courant - consommation continue (id) à 25°c | 36A |
| rds activé (max) à id, vgs | 270mOhm @ 18A, 10V |
| vgs(th) (max) à id | 5V @ 5mA |
| charge de porte (qg) (max) @ vgs | 308nC @ 10V |
| capacité d'entrée (ciss) (max) à vds | 8700pF @ 25V |
| puissance - max | 694W |
| température de fonctionnement | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| type de montage | Chassis Mount |
| paquet / étui | SP4 |
| package d'appareils du fournisseur | SP4 |
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