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APTM100A40FT1G

APTM100A40FT1G

APTM100A40FT1G

MOSFET 2N-CH 1000V 21A SP1

non conforme

APTM100A40FT1G Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
1 $0.00000 $0
500 $0 $0
1000 $0 $0
1500 $0 $0
2000 $0 $0
2500 $0 $0
0 items
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Obsolete
type de FET 2 N-Channel (Half Bridge)
fonctionnalité FET Standard
Tension drain-source (vdss) 1000V (1kV)
courant - consommation continue (id) à 25°c 21A
rds activé (max) à id, vgs 480mOhm @ 18A, 10V
vgs(th) (max) à id 5V @ 2.5mA
charge de porte (qg) (max) @ vgs 305nC @ 10V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds 7868pF @ 25V
puissance - max 390W
température de fonctionnement -40°C ~ 150°C (TJ)
type de montage Chassis Mount
paquet / étui SP1
package d'appareils du fournisseur SP1
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Numéro de pièce associé

2SJ633-E
FF2MR12KM1H
APTM50A15FT1G
APTM100A23SCTG
APTC80DDA29T3G
SIA922EDJ-T4-GE3
APTM50DUM17G
FDMS3615S-PC01
FDMS3615S-PC01
$0 $/morceau
AON5802BG

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