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JAN2N7334

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MOSFET 4N-CH 100V 1A MO-036AB

JAN2N7334 Fiche de données

compliant

JAN2N7334 Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
1 $0.00000 $0
500 $0 $0
1000 $0 $0
1500 $0 $0
2000 $0 $0
2500 $0 $0
0 items
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Active
type de FET 4 N-Channel
fonctionnalité FET Standard
Tension drain-source (vdss) 100V
courant - consommation continue (id) à 25°c 1A
rds activé (max) à id, vgs 700mOhm @ 600mA, 10V
vgs(th) (max) à id 4V @ 250µA
charge de porte (qg) (max) @ vgs 60nC @ 10V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds -
puissance - max 1.4W
température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
type de montage Through Hole
paquet / étui 14-DIP (0.300", 7.62mm)
package d'appareils du fournisseur MO-036AB
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Numéro de pièce associé

SIF912EDZ-T1-E3
APTC90AM60T1G
SP8J62TB1
SP8J62TB1
$0 $/morceau
IRFU024ATU
EFC6618R-A-TF
EFC6618R-A-TF
$0 $/morceau
CMS06NP03Q8-HF
VQ1001P-E3
VQ1001P-E3
$0 $/morceau
FDMC8298
DMN3012LFG-13
GWM160-0055X1-SMD
GWM160-0055X1-SMD
$0 $/morceau

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