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PMN25ENEH

PMN25ENEH

PMN25ENEH

MOSFET N-CH 30V 6.1A 6TSOP

PMN25ENEH Fiche de données

non conforme

PMN25ENEH Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
1 $0.16197 $0.16197
500 $0.1603503 $80.17515
1000 $0.1587306 $158.7306
1500 $0.1571109 $235.66635
2000 $0.1554912 $310.9824
2500 $0.1538715 $384.67875
0 items
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Active
type de FET N-Channel
technologie MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (vdss) 30 V
courant - consommation continue (id) à 25°c 6.1A (Ta)
tension de commande (rds max. activé, rds min. activé) 4.5V, 10V
rds activé (max) à id, vgs 24mOhm @ 6.1A, 10V
vgs(th) (max) à id 2.5V @ 250µA
charge de porte (qg) (max) @ vgs 18 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds 597 pF @ 15 V
fonctionnalité FET -
puissance dissipée (max) 560mW (Ta), 6.25mW (Tc)
température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
type de montage Surface Mount
package d'appareils du fournisseur 6-TSOP
paquet / étui SC-74, SOT-457
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Numéro de pièce associé

PMV48XPAR
PMV48XPAR
$0 $/morceau
SIHF080N60E-GE3
HUF76407D3
PJE8407_R1_00001
IPI90R1K0C3
PMPB12R5EPX
PMPB12R5EPX
$0 $/morceau
STP60NF06L
STP60NF06L
$0 $/morceau
FQB5N40TM
SIHP5N80AE-GE3
SIHP5N80AE-GE3
$0 $/morceau

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