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PMV52ENEAR

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MOSFET N-CH 30V 3.2A TO236AB

compliant

PMV52ENEAR Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
1 $0.41000 $0.41
500 $0.4059 $202.95
1000 $0.4018 $401.8
1500 $0.3977 $596.55
2000 $0.3936 $787.2
2500 $0.3895 $973.75
Inventory changes frequently.
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Active
type de FET N-Channel
technologie MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (vdss) 30 V
courant - consommation continue (id) à 25°c 3.2A (Ta)
tension de commande (rds max. activé, rds min. activé) 4.5V, 10V
rds activé (max) à id, vgs 70mOhm @ 3.2A, 10V
vgs(th) (max) à id 2.5V @ 250µA
charge de porte (qg) (max) @ vgs 3.3 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds 100 pF @ 15 V
fonctionnalité FET -
puissance dissipée (max) 630mW (Ta), 5.7W (Tc)
température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
type de montage Surface Mount
package d'appareils du fournisseur TO-236AB
paquet / étui TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
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Numéro de pièce associé

DMTH6010LK3Q-13
SPI15N65C3
IPD079N06L3GATMA1
FCD360N65S3R0
FCD360N65S3R0
$0 $/morceau
IRL640SPBF
IRL640SPBF
$0 $/morceau
SIA471DJ-T1-GE3
IXFH12N100P
IXFH12N100P
$0 $/morceau
SI8465DB-T2-E1
SI8465DB-T2-E1
$0 $/morceau

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