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PSMN6R0-30YL,115

PSMN6R0-30YL,115

PSMN6R0-30YL,115

MOSFET N-CH 30V 79A LFPAK56

non conforme

PSMN6R0-30YL,115 Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
1,500 $0.25943 -
3,000 $0.23653 -
7,500 $0.22127 -
10,500 $0.20601 -
37,500 $0.19533 -
0 items
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Active
type de FET N-Channel
technologie MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (vdss) 30 V
courant - consommation continue (id) à 25°c 79A (Tc)
tension de commande (rds max. activé, rds min. activé) 4.5V, 10V
rds activé (max) à id, vgs 6mOhm @ 15A, 10V
vgs(th) (max) à id 2.15V @ 1mA
charge de porte (qg) (max) @ vgs 24 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds 1425 pF @ 12 V
fonctionnalité FET -
puissance dissipée (max) 55W (Tc)
température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
type de montage Surface Mount
package d'appareils du fournisseur LFPAK56, Power-SO8
paquet / étui SC-100, SOT-669
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Numéro de pièce associé

FDU8874
FDU8874
$0 $/morceau
NTD4809NAT4G
NTD4809NAT4G
$0 $/morceau
AOB14N50
STD7N52K3
STD7N52K3
$0 $/morceau
DMP6023LSS-13
FDA62N28
FDP8442
FDP8442
$0 $/morceau
NVMFS5C612NLWFAFT3G
NVMFS5C612NLWFAFT3G
$0 $/morceau
PJC7404_R1_00001

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