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Nom | Valeur |
---|---|
statut du produit | Active |
type de FET | N-Channel |
technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Tension drain-source (vdss) | 30 V |
courant - consommation continue (id) à 25°c | 79A (Tc) |
tension de commande (rds max. activé, rds min. activé) | 4.5V, 10V |
rds activé (max) à id, vgs | 6mOhm @ 15A, 10V |
vgs(th) (max) à id | 2.15V @ 1mA |
charge de porte (qg) (max) @ vgs | 24 nC @ 10 V |
vgs (max) | ±20V |
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds | 1425 pF @ 12 V |
fonctionnalité FET | - |
puissance dissipée (max) | 55W (Tc) |
température de fonctionnement | -55°C ~ 175°C (TJ) |
type de montage | Surface Mount |
package d'appareils du fournisseur | LFPAK56, Power-SO8 |
paquet / étui | SC-100, SOT-669 |
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