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BUK9E2R3-40E,127

BUK9E2R3-40E,127

BUK9E2R3-40E,127

NXP USA Inc.

MOSFET N-CH 40V 120A I2PAK

compliant

BUK9E2R3-40E,127 Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
1 $0.93000 $0.93
500 $0.9207 $460.35
1000 $0.9114 $911.4
1500 $0.9021 $1353.15
2000 $0.8928 $1785.6
2500 $0.8835 $2208.75
Inventory changes frequently.
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Obsolete
type de FET N-Channel
technologie MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (vdss) 40 V
courant - consommation continue (id) à 25°c 120A (Tc)
tension de commande (rds max. activé, rds min. activé) 5V, 10V
rds activé (max) à id, vgs 2.2mOhm @ 25A, 10V
vgs(th) (max) à id 2.1V @ 1mA
charge de porte (qg) (max) @ vgs 87.8 nC @ 5 V
vgs (max) ±10V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds 13160 pF @ 25 V
fonctionnalité FET -
puissance dissipée (max) 293W (Tc)
température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
type de montage Through Hole
package d'appareils du fournisseur I2PAK
paquet / étui TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
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Numéro de pièce associé

BUZ111SL-E3045A
IPD65R660CFDATMA2
FQPF9N50T
IPL65R650C6SATMA1
SI2301BDS-T1-GE3
PHB110NQ08T,118
PHB110NQ08T,118
$0 $/morceau
FSS145-TL-E
FSS145-TL-E
$0 $/morceau
NTB75N03RT4
NTB75N03RT4
$0 $/morceau
SIHJ240N60E-T1-GE3
IRF353
IRF353
$0 $/morceau

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