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PHN210,118

PHN210,118

PHN210,118

NXP USA Inc.

MOSFET 2N-CH 30V 8SOIC

non conforme

PHN210,118 Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
1 $0.00000 $0
500 $0 $0
1000 $0 $0
1500 $0 $0
2000 $0 $0
2500 $0 $0
0 items
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Obsolete
type de FET 2 N-Channel (Dual)
fonctionnalité FET Logic Level Gate
Tension drain-source (vdss) 30V
courant - consommation continue (id) à 25°c -
rds activé (max) à id, vgs 100mOhm @ 2.2A, 10V
vgs(th) (max) à id 2.8V @ 1mA
charge de porte (qg) (max) @ vgs 6nC @ 10V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds 250pF @ 20V
puissance - max 2W
température de fonctionnement -65°C ~ 150°C (TJ)
type de montage Surface Mount
paquet / étui 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
package d'appareils du fournisseur 8-SO
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Numéro de pièce associé

AO8801A
BSO4804
BSO4804
$0 $/morceau
SI3911DV-T1-E3
SI3911DV-T1-E3
$0 $/morceau
FDG6304P-F169
FDG6304P-F169
$0 $/morceau
FDC6506P
FDC6506P
$0 $/morceau
NTMFD4902NFT3G
NTMFD4902NFT3G
$0 $/morceau
SI3951DV-T1-GE3
DMP58D0SV-7
DMP58D0SV-7
$0 $/morceau
APTMC60TL11CT3AG

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