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PMWD26UN,518

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PMWD26UN,518

NXP USA Inc.

MOSFET 2N-CH 20V 7.8A 8TSSOP

non conforme

PMWD26UN,518 Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
1 $0.00000 $0
500 $0 $0
1000 $0 $0
1500 $0 $0
2000 $0 $0
2500 $0 $0
0 items
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Obsolete
type de FET 2 N-Channel (Dual)
fonctionnalité FET Logic Level Gate
Tension drain-source (vdss) 20V
courant - consommation continue (id) à 25°c 7.8A
rds activé (max) à id, vgs 30mOhm @ 3.5A, 4.5V
vgs(th) (max) à id 700mV @ 1mA
charge de porte (qg) (max) @ vgs 23.6nC @ 4.5V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds 1366pF @ 16V
puissance - max 3.1W
température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
type de montage Surface Mount
paquet / étui 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
package d'appareils du fournisseur 8-TSSOP
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Numéro de pièce associé

SI6981DQ-T1-GE3
AO9926BL
IRF7311TR
IRF7311TR
$0 $/morceau
VT6J1T2CR
VT6J1T2CR
$0 $/morceau
DMN4031SSDQ-13
SIA777EDJ-T1-GE3
STL60N32N3LL
STL60N32N3LL
$0 $/morceau
APTMC120AM08CD3AG
SH8M70TB1
SH8M70TB1
$0 $/morceau

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