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SIA777EDJ-T1-GE3

SIA777EDJ-T1-GE3

SIA777EDJ-T1-GE3

MOSFET N/P-CH 20V/12V SC70-6L

non conforme

SIA777EDJ-T1-GE3 Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
3,000 $0.23018 -
0 items
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Active
type de FET N and P-Channel
fonctionnalité FET Logic Level Gate
Tension drain-source (vdss) 20V, 12V
courant - consommation continue (id) à 25°c 1.5A, 4.5A
rds activé (max) à id, vgs 225mOhm @ 1.6A, 4.5V
vgs(th) (max) à id 1V @ 250µA
charge de porte (qg) (max) @ vgs 2.2nC @ 5V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds -
puissance - max 5W, 7.8W
température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
type de montage Surface Mount
paquet / étui PowerPAK® SC-70-6 Dual
package d'appareils du fournisseur PowerPAK® SC-70-6 Dual
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Numéro de pièce associé

STL60N32N3LL
STL60N32N3LL
$0 $/morceau
APTMC120AM08CD3AG
SH8M70TB1
SH8M70TB1
$0 $/morceau
NVMFD5489NLWFT1G
NVMFD5489NLWFT1G
$0 $/morceau
IRF7752
IRF7752
$0 $/morceau
SI4670DY-T1-E3
SI4670DY-T1-E3
$0 $/morceau
FDMS3624S
NVMFD5853NWFT1G
NVMFD5853NWFT1G
$0 $/morceau
NDS8852H
NDS8852H
$0 $/morceau

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