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SI4670DY-T1-E3

SI4670DY-T1-E3

SI4670DY-T1-E3

MOSFET 2N-CH 25V 8A 8SOIC

non conforme

SI4670DY-T1-E3 Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
1 $0.00000 $0
500 $0 $0
1000 $0 $0
1500 $0 $0
2000 $0 $0
2500 $0 $0
0 items
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Obsolete
type de FET 2 N-Channel (Dual)
fonctionnalité FET Logic Level Gate
Tension drain-source (vdss) 25V
courant - consommation continue (id) à 25°c 8A
rds activé (max) à id, vgs 23mOhm @ 7A, 10V
vgs(th) (max) à id 2.2V @ 250µA
charge de porte (qg) (max) @ vgs 18nC @ 10V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds 680pF @ 13V
puissance - max 2.8W
température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
type de montage Surface Mount
paquet / étui 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
package d'appareils du fournisseur 8-SOIC
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Numéro de pièce associé

FDMS3624S
NVMFD5853NWFT1G
NVMFD5853NWFT1G
$0 $/morceau
NDS8852H
NDS8852H
$0 $/morceau
SIL2623-TP
SIL2623-TP
$0 $/morceau
BSL308PEL6327HTSA1
IRF7331
IRF7331
$0 $/morceau
SIZ790DT-T1-GE3
BSO4804T
BSO4804T
$0 $/morceau
IPA180N10N3G

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