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2SK3816-DL-1E

2SK3816-DL-1E

2SK3816-DL-1E

onsemi

MOSFET N-CH 60V 40A TO263-2

compliant

2SK3816-DL-1E Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
1 $0.74000 $0.74
500 $0.7326 $366.3
1000 $0.7252 $725.2
1500 $0.7178 $1076.7
2000 $0.7104 $1420.8
2500 $0.703 $1757.5
2039 items
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Obsolete
type de FET N-Channel
technologie MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (vdss) 60 V
courant - consommation continue (id) à 25°c 40A (Ta)
tension de commande (rds max. activé, rds min. activé) 4V, 10V
rds activé (max) à id, vgs 26mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (max) à id -
charge de porte (qg) (max) @ vgs 40 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds 1780 pF @ 20 V
fonctionnalité FET -
puissance dissipée (max) 1.65W (Ta), 50W (Tc)
température de fonctionnement 150°C (TJ)
type de montage Surface Mount
package d'appareils du fournisseur TO-263-2
paquet / étui TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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Numéro de pièce associé

NTTFS4C25NTAG
NTTFS4C25NTAG
$0 $/morceau
IXFH15N60
IXFH15N60
$0 $/morceau
BSZ036NE2LSATMA1
SQJ152EP-T1_GE3
2SK3018T106
2SK3018T106
$0 $/morceau
STB80NF55-08AG
PSMN009-100P,127
IPA65R420CFDXKSA1
STW56N60M2-4
STW56N60M2-4
$0 $/morceau
IRFR120
IRFR120
$0 $/morceau

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